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概述:

       本实验装置使用砷化镓(GaAs)霍尔传感器测

量磁感应强度,研究锑化铟(InSb)磁阻传感器在不

同的磁感应强度下的电阻大小。可观测半导体的霍尔

效应和磁阻效应两种物理规律,及其作为磁测量不同

应用,具有研究性和相关性的实验特点,适合于基础

物理实验和综合性物理实验。

主要技术参数及性能:

       1IM:励磁电流,直流0~900mA连续可调,3位半数显;
       2
Is:传感器工作电流,直流0~1mA连续可调,3位半数显;
       3
、数字式磁场强度和磁阻电压测量:磁场强度0~999mT,准确率1%;磁阻电压0~2000mV,准确率为0.5%

 

 
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